SiCウェーハ_ラッピングプロセス
加工前ワーク:SiC 6インチ アズスライスウェーハ TTV12.4µm
装置:AC1200(DSP) 圧力:200g/cm2
【1st プロセス】
パッド: IRINO-PRO-C
スラリー:OPW-21/25 FG3 ※多結晶水性3μmダイヤモンドスラリー
流量:40ml/min
結果: Ra 3nm 、RR1.24µm/ min、 TTV0.67µm
【2nd プロセス】
パッド:MH-Nパッド ニッタ・デュポン製
スラリー:OPW-20/25 FG3 ※多結晶水性3μmダイヤモンドスラリー
流量:20ml/min
結果: Ra0.8nm 、RR0.4µm/min、TTV0.9µm
※最終仕上げCMP工程の負担軽減が期待できます。
最終仕上げ用研磨スラリーとパッドは別途ご提案が可能です。
また、ダイヤモンド・コロイダルシリカ複合Pre-CMPスラリーのご紹介も可能です。
ご興味ございましたら、お気軽にお問い合わせください。