CMP/精密研磨/各種清浄度測定/圧力分布測定 

SiC/GaN用研磨スラリー 

ラップ工程のご提案【研磨パッド×ダイヤスラリー】

研磨パッドとダイヤスラリーを用いて、アズスライスから仕上ラップ(Ra:0.8nm)加工が可能です。
同一粒径の2種スラリーを用いて1次ラップ⇒仕上げラップを行う為、洗浄やパッド交換の手間が不要です。※加工機1台で2段加工が可能
最終仕上げ研磨の負担軽減が期待できます。

【社内評価結果】

ウェーハ:SiC φ100mm 466μmt アズスライス品

評価研磨機:両面機 定盤径φ1200mm

パッド:ニッタ・デュポン製ウレタンパッド

ダイヤスラリー:多結晶ダイヤスラリー2種(同一砥粒)

Ra:0.8nm /Rz: 4.35nm  RR:0.39μm/min 

※最終仕上げ研磨工程の負担軽減が期待できます。

最終仕上げ用研磨スラリーとパッドは別途ご提案が可能です

ご興味ございましたら、お気軽にお問い合わせください。