SiC/GaN用研磨スラリー
ラップ工程のご提案【研磨パッド×ダイヤモンドスラリー】
研磨パッドとダイヤスラリーを用いて、アズスライスから仕上ラップ(Ra:0.8nm)加工が可能です。
同一粒径(2種)スラリーを用いて1次ラップ【IRINOパッド】⇒仕上げラップ【MHパッド】を行うプロセスとなります。
最終仕上げ研磨の負担軽減が期待できます。
SiCウェーハ＿ラッピングプロセス
加工前ワーク：SiC 6インチ アズスライスウェーハ TTV12.4µm
装置：AC1200(DSP) 圧力：200g/cm2
【1st プロセス】
パッド： IRINO-PRO-C
スラリー：OPW-21/25 FG3 ※多結晶水性3μmダイヤモンドスラリー
流量：40ml/min
結果： Ra 3nm 、RR1.24µm/ min、 TTV0.67µm
【2nd プロセス】
パッド：MH-Nパッド ニッタ・デュポン製
スラリー：OPW-20/25 FG3 ※多結晶水性3μmダイヤモンドスラリー
流量：20ml/min
結果： Ra0.8nm 、RR0.4µm/min、TTV0.9µm
※最終仕上げCMP工程の負担軽減が期待できます。
最終仕上げ用研磨スラリーとパッドは別途ご提案が可能です。
ご興味ございましたら、お気軽にお問い合わせください。