CMP/精密研磨/各種清浄度測定/圧力分布測定 

SiC/GaN用研磨スラリー 

ラップ工程のご提案【研磨パッド×ダイヤモンドスラリー】

研磨パッドとダイヤスラリーを用いて、アズスライスから仕上ラップ(Ra:0.8nm)加工が可能です。
同一粒径(2種)スラリーを用いて1次ラップ【IRINOパッド】⇒仕上げラップ【MHパッド】を行うプロセスとなります。
最終仕上げ研磨の負担軽減が期待できます。

SiCウェーハ_ラッピングプロセス

加工前ワーク:SiC 6インチ アズスライスウェーハ TTV12.4µm

装置:AC1200(DSP) 圧力:200g/cm2

【1st プロセス】

パッド: IRINO-PRO-C

スラリー:OPW-21/25 FG3  ※多結晶水性3μmダイヤモンドスラリー

流量:40ml/min

結果: Ra 3nm 、RR1.24µm/ min、 TTV0.67µm

【2nd プロセス】

パッド:MH-Nパッド  ニッタ・デュポン製

スラリー:OPW-20/25 FG3  ※多結晶水性3μmダイヤモンドスラリー

流量:20ml/min

結果: Ra0.8nm 、RR0.4µm/min、TTV0.9µm

 

※最終仕上げCMP工程の負担軽減が期待できます。

最終仕上げ用研磨スラリーとパッドは別途ご提案が可能です

ご興味ございましたら、お気軽にお問い合わせください。