SiC/GaN用研磨スラリー
ラップ工程のご提案【研磨パッド×ダイヤスラリー】
研磨パッドとダイヤスラリーを用いて、アズスライスから仕上ラップ(Ra:0.8nm)加工が可能です。
同一粒径の2種スラリーを用いて1次ラップ⇒仕上げラップを行う為、洗浄やパッド交換の手間が不要です。※加工機1台で2段加工が可能
最終仕上げ研磨の負担軽減が期待できます。
【社内評価結果】
ウェーハ:SiC φ100mm 466μmt アズスライス品
評価研磨機:両面機 定盤径φ1200mm
パッド:ニッタ･デュポン製ウレタンパッド
ダイヤスラリー:多結晶ダイヤスラリー2種(同一砥粒)
Ra:0.8nm /Rz: 4.35nm RR:0.39μm/min
※最終仕上げ研磨工程の負担軽減が期待できます。
最終仕上げ用研磨スラリーとパッドは別途ご提案が可能です。
ご興味ございましたら、お気軽にお問い合わせください。